[发明专利]功率MOS管制造方法

权利要求书

1.一种功率MOS管制造方法，包括如下步骤：

提供基底，在该基底上形成栅极凹槽；

在基底的表面及栅极凹槽的底部和侧壁形成氮化硅层；

去除栅极凹槽底部的氮化硅层，对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层；

去除氮化硅层，在栅极凹槽的侧壁形成栅氧化物层，在栅极凹槽内形成多晶硅栅极，

在栅极凹槽开口侧部掺杂形成源极。

2.根据权利要求1所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供基底，在该基底上形成栅极凹槽；

在基底的表面及栅极凹槽的底部和侧壁形成垫氧化物层，在垫氧化物层上形成氮化硅层；

去除栅极凹槽底部的氮化硅层和垫氧化物层，对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层；

去除氮化硅层和垫氧化物层，在栅极凹槽的侧壁形成栅氧化物层，在栅极凹槽内形成多晶硅栅极，

在栅极凹槽开口侧部掺杂形成源极。

3.根据权利要求1或者2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述基底包括重掺杂的衬底、与衬底掺杂类型相同的轻掺杂的漂移层、与衬底掺杂类型相反的轻掺杂的反型衬底，漏极形成在所述重掺杂的衬底上。

4.根据权利要求3所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述在基底上形成栅极凹槽的方法包括：

在基底上形成硬掩膜，在硬掩膜上形成图案化的光刻胶；

以图案化的光刻胶为掩模，蚀刻硬掩膜，形成图案化的硬掩膜；

以图案化的硬掩膜为掩模，蚀刻基底，形成栅极凹槽；

去除硬掩膜。

5.根据权利要求4所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述的硬掩膜包括形成在基底上的二氧化硅、形成在二氧化硅上的氮化硅。

6.根据权利要求2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述垫氧化物层为二氧化硅，厚度为

7.根据权利要求6所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述垫氧化物层的形成采用炉管原位氧化工艺。

8.根据权利要求1或者2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述的氮化硅层的厚度为

9.根据权利要求8所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述的氮化硅层的形成采用等离子增强化学气相沉积工艺。

10.根据权利要求2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述去除栅极凹槽底部的氮化硅层和垫氧化物层的工艺为：在氮化硅层上形成图案化的光阻层，以所述图案化的光阻层为掩模，干法蚀刻去除凹槽底部的氮化硅层和垫氧化物层。

11.根据权利要求1或者2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层，为采用干氧氧化，温度为1100～1150摄氏度，氧气流量20～50标准升/分钟。

12.根据权利要求1或者2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于：所述对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层，为采用湿氧氧化，温度为900～950摄氏度，水蒸气流量30～60标准升/分钟。