[发明专利]扩散区的形成方法无效
| 申请号： | 200910195219.0 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013392A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 形成 方法 | ||
1.一种扩散区的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底表面形成预掺杂层，所述预掺杂层内具有掺杂离子；
在所述预掺杂层上形成保护层；
对所述半导体衬底进行退火，使所述预掺杂层内的掺杂离子扩散入所述半导体衬底内。
2.根据权利要求1所述扩散区的形成方法，其特征在于，所述预掺杂层内的掺杂离子在形成预掺杂层时掺入。
3.根据权利要求2所述扩散区的形成方法，其特征在于，形成所述预掺杂层及对所述半导体衬底进行退火的次数为1～3次。
4.根据权利要求3所述扩散区的形成方法，其特征在于，所述预掺杂层内的掺杂离子为砷，形成所述预掺杂层的反应物为正硅酸乙酯，所述预掺杂层内的杂质来源为三乙基砷酸酯。
5.根据权利要求4所述扩散区的形成方法，其特征在于，所述退火方式为炉管方式或快速热退火方式。
6.根据权利要求7所述扩散区的形成方法，其特征在于，所述退火的温度为1050～1150℃。
7.根据权利要求6所述扩散区的形成方法，其特征在于，采用炉管方式退火的时间为10～60分钟。
8.根据权利要求5所述扩散区的形成方法，其特征在于，采用快速热退火方式退火的时间为10～180秒。
9.根据权利要求1所述扩散区的形成方法，其特征在于，所述预掺杂层内的掺杂离子为通过离子注入形成。
10.根据权利要求1所述保护层的形成方法，其特征在于，所述保护层和预掺杂层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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