[发明专利]监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法

权利要求书

1.一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；该方法包括：

在晶圆上形成光刻胶膜；

以低于曝光阈值的能量对所述光刻胶膜进行曝光，并显影；

测量显影后光刻胶膜的厚度；

将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；

根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。

2.如权利要求1所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：

在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光，并显影；和

通过测量所述曝光并显影后光刻胶膜的多个位置的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

3.如权利要求2所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，以多个曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对形成光刻胶膜的晶圆的多个位置进行曝光。

4.如权利要求1所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度包括：

在曝光机能量正常的情况下，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光，并显影；和

通过测量所述曝光并显影后多个晶圆的光刻胶膜的厚度，得到多个曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

5.如权利要求4所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，以多个曝光能量对形成有相同厚度的光刻胶膜的多个晶圆进行曝光包括：以步进增加的曝光能量对所述多个晶圆进行曝光。

6.如权利要求1至5中任一项所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系；

在将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度。

7.如权利要求6所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系是线性关系。

8.如权利要求6所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

根据曝光并显影后光刻胶膜的厚度，以及曝光机能量正常的情况下曝光能量与曝光并显影后光刻胶膜的厚度之间的关系，得到曝光机能量的偏移量，并根据该偏移量校准曝光机的能量。

9.如权利要求1至5中任一项所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，

该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差；

将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较是：将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较。

10.如权利要求9所述的监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，其特征在于，

该方法进一步包括：得到曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系；

在将光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差进行比较之前，该方法进一步包括：根据曝光机能量正常的情况下曝光能量与光刻胶膜在曝光并显影之后和曝光之前的厚度差之间的关系，得到该低于曝光阈值的能量所对应的、光刻胶膜在曝光并显影之后与曝光之前的厚度差。