[发明专利]减小等离子体刻蚀中的反射功率的方法

权利要求书

1.一种减小等离子体刻蚀中的反射功率的方法，对所需刻蚀的晶圆依次进行稳定化处理工艺、绝缘抗反射层刻蚀工艺、黏接层去除工艺、主蚀刻工艺、底黏接层去除工艺、过刻蚀工艺和释放电荷工艺后，完成对晶圆的金属层的刻蚀，其特征在于，该方法还包括：

在所述绝缘抗反射层刻蚀工艺和黏接层去除工艺之间进行转变处理工艺；

所述转变处理工艺包括：

将源功率降低到预先设置的第一源功率值，并使所述降低后的源功率在预先设定的源功率持续时间内保持不变，然后再将所述降低后的源功率降低到黏接层去除工艺所需的源功率值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述预先设置的第一源功率值为600～900瓦；

所述源功率持续时间为4～8秒。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述转变处理工艺中，所述刻蚀气体的成分、流量与所述绝缘抗反射层刻蚀工艺中的刻蚀气体的成分、流量相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在所述的转变处理工艺中，将偏置功率升高到预先设置的偏置功率值，并使所述升高后的偏置功率在预先设定的偏置功率持续时间内保持不变，然后再将所述升高后的偏置功率升高到黏接层去除工艺所需的偏置功率值。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述预先设置的偏置功率值为130～150W；

所述偏置功率持续时间为2～4秒。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在所述的转变处理工艺中，使刻蚀气体的气压改变为预设的气压值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设的气压值为9～11毫托。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在所述绝缘抗反射层刻蚀工艺中，使节流阀在角度持续时间内与水平面保持预先设定的角度。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预先设定的角度为10～50度。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在所述黏接层去除工艺和主蚀刻工艺中，使用预先设定的第二源功率值。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预先设定的第二源功率值为480～650W。