[发明专利]一种通孔刻蚀方法无效
| 申请号： | 200910195420.9 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667556A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王玉磊;黄冲;徐昕睿;李洋;林俊毅;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种通孔刻蚀方法，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有介质层；
在所述介质层形成牺牲层；
图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；
以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出所述衬底表面，在所述介质层中出刻蚀通孔；
执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；
以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；
去除所述牺牲层。
2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层为均匀涂布的光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度大于
4.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述第一各向异性干法刻蚀的气体为CxFy、O2、Ar和CO。
5.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述各向同性干法刻蚀的气体为O2。
6.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述第二各向异性干法刻蚀的气体为CxFy、O2、Ar和CO。
7.一种通孔刻蚀方法，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有介质层；
在所述介质层形成牺牲层；
图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；
以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至接近所述衬底表面，在所述介质层中刻蚀出初级通孔；
执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；
以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述初级通孔底部以下的介质层至暴露出所述衬底表面，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；
去除所述牺牲层。
8.根据权利要求7所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层为均匀涂布的光致抗蚀剂层。
9.根据权利要求8所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度大于
10.根据权利要求7所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述第一各向异性干法刻蚀的气体为CxFy、O2、Ar和CO。
11.根据权利要求7所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述各向同性干法刻蚀的气体为O2。
12.根据权利要求7所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述第二各向异性干法刻蚀的气体为CxFy、O2、Ar和CO。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910195420.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
