[发明专利]一种去除芯片陶瓷封装体的方法有效
申请号: | 200910195572.9 | 申请日: | 2009-09-11 |
公开(公告)号: | CN102023274A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 李爱民;于建姝;段晓博;刘冰冰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 芯片 陶瓷封装 方法 | ||
1.一种去除芯片陶瓷封装体的方法,所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上,所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合,其特征在于,包括以下步骤:
去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线;
对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热;
使用去离子水对所述芯片进行冲洗,使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。
2.如权利要求1所述的去除芯片陶瓷封装体的方法,其特征在于,对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热的步骤包括:将所述芯片及所述整个陶瓷封装体放入到热的硝酸溶液中进行加热。
3.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法,其特征在于,所述加热时间为3-4分钟。
4.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法,其特征在于,所述硝酸溶液的浓度范围为70%~98%。
5.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法,其特征在于,所述硝酸溶液的温度为100℃~122℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910195572.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储器件以及多层芯片半导体器件
- 下一篇:电控出水饮水机