[发明专利]光刻胶的形成方法

权利要求书

1.一种光刻胶的形成方法，其特征在于，包括：

提供形成有底部抗反射层的衬底；

去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子；

在去除偏碱性的分子的底部抗反射层表面形成光刻胶层。

2.如权利要求1所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子步骤和所述在去除偏碱性的分子的底部抗反射层表面形成光刻胶层步骤在同一旋胶设备中完成。

3.如权利要求1或权利要求2所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子包括：将所述形成有底部抗反射层的衬底放置于所述旋胶设备内；旋胶设备初始化；清洗并旋转去偏碱性的分子；甩干。

4.如权利要求3所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述旋胶设备初始化具体工艺参数为：旋转时间为1秒至2秒，旋转速度为为每分钟1500转至每分钟2500转。

5.如权利要求3所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述清洗并旋转去偏碱性的分子具体工艺参数为：旋转时间为3秒至5秒，旋胶设备旋转速度为每分钟80转至每分钟120转，清洗剂流量为每分钟30毫升至每分钟80毫升。

6.如权利要求5所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述清洗剂为高分子有机溶剂、去离子水或者双氧水。

7.如权利要求5所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述清洗剂为丙二醇甲单醚或者为丙二醇单甲醚乙酯。

8.如权利要求3所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述甩干的具体工艺参数为：旋转时间为3秒至9秒，所述旋胶设备转速为每分钟800转至每分钟2500转。

9.如权利要求1所述的光刻胶的形成方法，其特征在于，所述形成光刻胶的具体工艺参数为：旋转时间为1秒至2秒，旋胶设备转速为每分钟3400转至每分钟4000转，光刻胶流量为每分钟1.5毫升至每分钟2毫升。