[发明专利]半导体工艺中的检测方法和检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体工艺中的检测方法和检测系统。

背景技术

目前，在半导体制造的过程中，都需要进行检测，例如在晶圆完成介质层淀积、光刻、刻蚀等等过程后都需要进行检测。通常半导体制造中的检测方法是应用流水线方式，检测系统具有多个站点，不同的站点用于不同的工艺后的检测，例如光刻后的检测站点，刻蚀后的检测站点等，每个站点内具有多个基台，每经过一道制造工序之后都要进行检测，如图1所示，第一道制造工序之后要进入第一站点10进行第一道检测，检测完成后进入第二道制造工序，第二道制造工序后再进入第二站点20进行第二道检测，然后再依次进入第三道制造工序和第三站点30。

例如在专利号为“200410031241.9”，名称为“半导体元件缺陷的检测方法”的中国专利文献中公开了一种半导体元件缺陷的检测方法，此半导体元件至少是由衬底、栅极、插塞、绝缘层与导线所构成，其中插塞电性连接栅极两侧的衬底中的源极/漏极区并覆盖部分栅极上方，且插塞与栅极之间具有一缺陷，此方法先进行研磨步骤，至少研磨半导体元件至插塞未覆盖栅极上方。接着进行清洗步骤，清洗半导体元件。在移除栅极与插塞之间的绝缘层后，，侦测插塞与栅极之间的缺陷。

在半导体制造中，在一片晶片上会同时制造大量的半导体器件，而通常半导体器件的制造会以一片晶片为单位，同时对一批晶片进行加工。在半导体制造过程中应用上述的检测方法时，在一批晶片中会抽查一些晶片对其上的半导体结构进行检测，本领域技术人员熟知的，对一批晶片进行检测时，抽取的晶片越多检查的结果越精确，换言之，对每一片晶片都进行检测，可以使得检测结果最准确。但是，由于站点的检测能力是有限的，如果一批晶片的数量过多，这样对该批晶片的每一片都进行检测，则会使得该批产品都积压在该站点，而使得后面的站点空闲，这样不利于生产效率的提高，所以在实际的生产中，会设定晶片的检测率，也就是抽检的晶片占总的经过该站点的晶片的比例，但是如果晶片的数量较小，还按照一定的检测率抽检，又会使得检测的数量较少，站点的基台空闲，并且检测精确度低。

发明内容

本发明解决的技术问题是晶片检测的检测的精确度低的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体工艺中的检测方法，包括预先获得站点最大能够检测晶片的最大检测数量，还包括下列步骤：测量经过站点的晶片数量；比较所述晶片数量和最大检测数量，当所述晶片数量小于最大检测数量，则将站点的检测率升高，当所述晶片数量大于最大检测数量，则将站点的检测率降低。

可选的，当所述晶片数量小于最大检测数量的90％，则将站点的检测率升高，当所述晶片数量大于最大检测数量的90％，则将站点的检测率降低。

可选的，当所述晶片数量小于最大检测数量的10％，则将站点的检测率升高。

可选的，所述测量经过站点的晶片数量包括步骤：

测量站点内的基台检测的晶片数量；

根据基台检测的晶片数量和检测率得到进入站点的晶片数量；

测量站点跳过的晶片数量；

将进入站点的晶片数量和跳过的晶片数量求和得到经过站点的晶片数量。

可选的，所述基台包括n个基台，所述基台检测的晶片数量为n个基台检测的晶片数量之和，所述将站点的检测率升高为将n个基台的检测率都升高，将站点的检测率降低为将n个基台的检测率降低，其中n为自然数。

可选的，所述经过站点的晶片数量为第一天经过站点的晶片数量；所述将站点的检测率升高或降低为将第二天的站点检测率升高或降低。

相应的本发明还提供了一种半导体工艺中的检测系统，包括：站点，所述站点内具有检测晶片的基台；测量装置，用于测量经过站点的晶片数量；比较装置，用于比较所述晶片数量和最大检测数量的大小关系；调整装置，用于当所述晶片数量小于最大检测数量，则将站点的检测率升高，当所述晶片数量大于最大检测数量，则将站点的检测率降低。

可选的，当所述晶片数量小于最大检测数量的90％，则将站点的检测率升高，当所述晶片数量大于最大检测数量的90％，则将站点的检测率降低。

可选的，当所述晶片数量小于最大检测数量的10％，则将站点的检测率升高。

可选的，所述测量装置包括：

第一测量子装置，用于测量站点内的基台检测的晶片数量；

计算装置，用于根据基台检测的晶片数量和检测率得到进入站点的晶片数量；

第二测量子装置，用于测量站点跳过的晶片数量；