[发明专利]开口及其形成方法

权利要求书

1.一种开口的形成方法，其特征在于：在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，调节刻蚀过程中产生聚合物的数量，所述三氟甲烷的流量逐渐增加，所述偏置功率逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述主刻蚀包括至少四个阶段，在第一个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.2至3.4sccm/s；在第二个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.2至2.0sccm/s；在第三个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为0.8至2.4sccm/s；在第四个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为0.8至2.2sccm/s。

3.根据权利要求2所述的开口的形成方法，其特征在于，在第一个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.6至-4.2W/s；在第二个阶段，所述偏置功率的变化速率为-1.2至-2.0W/s；在第三个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.8至-2.6W/s；在第四个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.3至-2.8Ws。

4.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述主刻蚀包括至少四个阶段，在第一个至第四个阶段，所述三氟甲烷的流量的增加逐渐降低；在第一个至第四个阶段，所述偏置功率的减小逐渐降低。

5.根据权利要求4所述的开口的形成方法，其特征在于，在第一个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为2.8至3.4sccm/s；在第二个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.5至2.0sccm/s；在第三个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为0.8至1.2sccm/s；在第四个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为0.8至1.2sccm/s。

6.根据权利要求5所述的开口的形成方法，其特征在于，在第一个阶段，所述偏置功率的变化速率为-3.8至-4.2W/s；在第二个阶段，所述偏置功率的变化速率为-1.8至-1.2W/s；在第三个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.8至-1.2W/s；在第四个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.3至-0.6W/s。

7.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述主刻蚀包括至少四个阶段，在第一个至第四个阶段，所述三氟甲烷的流量的增加逐渐提高；在第一个至第四个阶段，所述偏置功率的减小逐渐提高。

8.根据权利要求7所述的开口的形成方法，其特征在于，在第一个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.2至1.6sccm/s；在第二个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.2至1.6sccm/s；在第三个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为1.8至2.2sccm/s；在第四个阶段，所述三氟甲烷的流量的变化速率为2.0至2.4sccm/s。

9.根据权利要求8所述的开口的形成方法，其特征在于，在第一个阶段，所述偏置功率的变化速率为-0.6至-1.0W/s；在第二个阶段，所述偏置功率的变化速率为-1.6至-2.0W/s；在第三个阶段，所述偏置功率的变化速率为-2.2至-2.6W/s；在第四个阶段，所述偏置功率的变化速率为-2.4至-2.8W/s。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的开口的形成方法，其特征在于，所述第一个阶段时间为0至50秒；所述第二个阶段时间为50至100秒；所述第三个阶段时间为100至150秒；所述第四个阶段时间为150至200秒。

11.根据权利要求10所述的开口的形成方法，其特征在于，形成开口的主刻蚀的气体还包括：四氟化碳、氧气和八氟环丁烷。

12.根据权利要求11所述的开口的形成方法，其特征在于，所述四氟化碳的流量范围为50～300sccm；所述氧气流量范围为10～100sccm；所述八氟环丁烷流量范围为10～100sccm。

13.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，在主刻蚀过程中，所述三氟甲烷流量由0逐渐增加至330～370sccm，所述三氟甲烷流量的增速保持恒定，为1.5～1.9sccm/秒；所述偏置功率由900W降至500～540W，偏置功率的降低速度恒定，为-1.7～-2.1W/秒。

14.一种如权利要求1至13中任一项所形成的开口。