[发明专利]一种顶发射有机电致发光显示元件无效
申请号: | 200910195717.5 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN102024841A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 张积梅;徐洪光;余峰 | 申请(专利权)人: | 上海广电电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 201204 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 有机 电致发光 显示 元件 | ||
1.一种顶发射有机电致发光显示元件,包括衬底、形成于衬底之上的有机层、形成于有机层之上的复合电极,其特征在于,还包括形成于复合电极之上的水氧阻挡复合薄膜、形成于水氧阻挡复合薄膜之上的低反射高吸收薄膜、透明上盖,衬底与透明上盖粘接,密闭内部所有元件。
2.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述衬底包括薄膜晶体管、用于驱动薄膜晶体管的金属互连、以及与薄膜晶体管相连的金属电极。
3.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述水氧阻挡复合薄膜为以氧化物介质薄膜和聚合物薄膜为单元的重复,重复至少一次以上,通过等离子增强化学气相沉积方式制备。
4.根据权利要求3所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述氧化物介质薄膜为氧化硅、氧化铝,所述聚合物薄膜为聚对二甲苯及其衍生物。
5.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述低反射高吸收薄膜形成于复合薄膜的表面,包括金属和层叠在金属上的相应的金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述的金属为铬、镍、钨、铁、钽、钛中的一种,对应的金属氧化物为氧化铬、氧化镍、氧化钨、氧化铁、氧化钽、氧化钛中选出的任意一种。
7.根据权利要求5所述的顶发射有机电致发光显示元件,其特征在于,所述低反射高吸收薄膜具有一定的图形,图形通过干刻工艺形成,该图形覆盖像素电极区域之外的基本整个表面,低反射高吸收薄膜与像素电极的边缘分隔不小于1um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的