[发明专利]光刻方法

权利要求书

1.一种硅片的光刻方法，工艺步骤依次包括：

气相成底膜；旋转涂胶；软烘；

采用整体水平量测循环装置量测光刻胶的涂层厚度；

根据整体水平量测循环装置量测所得的量侧厚度，筛选出存在不良光刻胶粘附的问题硅片；

对合格硅片进行对准和曝光；曝光后烘焙；显影；坚膜烘焙；显影检查。

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，定义硅片的边缘位置，从所述硅片边缘位置检查整体水平量测循环装置所得的量侧厚度以判断是否存在光刻胶不良粘附问题。

3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述判断为存在不良光刻胶粘附问题的标准是整体水平量测循环装置的量侧厚度相比预设厚度大于20纳米或者小于负20纳米。

4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述判断为不良光刻胶粘附的硅片都停止进行下一步工艺步骤对准和曝光，改由人工检查不良光刻胶粘附的硅片并将合格硅片进行下一步工艺步骤对准和曝光、对不合格硅

片清洗表面原有光刻胶后重新粘附光刻胶。