[发明专利]粘合层及其形成方法无效
| 申请号： | 200910195839.4 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024789A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;宋兴华;李志超;林艺辉;林保璋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘合 及其 形成 方法 | ||
1.一种粘合层，其特征在于，包括Ti膜，形成于所述Ti膜上的富含N的第一TiN膜，以及形成于所述第一TiN膜上的富含Ti的第二TiN膜。
2.一种形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上形成Ti膜；
在所述Ti膜上形成富含N的第一TiN膜；
在所述第一TiN膜上形成富含Ti的第二TiN膜。
3.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，使用Ti化合物气体和N化合物气体通过化学气相沉积工艺形成所述第一TiN膜和所述第二TiN膜。
4.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，所述Ti化合物气体和N化合物气体以第一反应比例形成所述第一TiN膜，而以第二反应比例形成所述第二TiN膜，所述第一反应比例小于所述第二反应比例。
5.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，所述Ti化合物气体为TiCl4。
6.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，所述N化合物气体为NH3。
7.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，所述第一TiN膜的厚度小于等于所述第二TiN膜的厚度。
8.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法，其特征在于，所述第一TiN膜的厚度不超过100埃。
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