[发明专利]粘合层及其形成方法无效
申请号: | 200910195839.4 | 申请日: | 2009-09-17 |
公开(公告)号: | CN102024789A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 陈亮;宋兴华;李志超;林艺辉;林保璋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 及其 形成 方法 | ||
1.一种粘合层,其特征在于,包括Ti膜,形成于所述Ti膜上的富含N的第一TiN膜,以及形成于所述第一TiN膜上的富含Ti的第二TiN膜。
2.一种形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,包括:
提供硅衬底;
在所述硅衬底上形成Ti膜;
在所述Ti膜上形成富含N的第一TiN膜;
在所述第一TiN膜上形成富含Ti的第二TiN膜。
3.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,使用Ti化合物气体和N化合物气体通过化学气相沉积工艺形成所述第一TiN膜和所述第二TiN膜。
4.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,所述Ti化合物气体和N化合物气体以第一反应比例形成所述第一TiN膜,而以第二反应比例形成所述第二TiN膜,所述第一反应比例小于所述第二反应比例。
5.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,所述Ti化合物气体为TiCl4。
6.如权利要求3所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,所述N化合物气体为NH3。
7.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,所述第一TiN膜的厚度小于等于所述第二TiN膜的厚度。
8.如权利要求2所述的形成如权利要求1所述的粘合层的方法,其特征在于,所述第一TiN膜的厚度不超过100埃。
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