[发明专利]掺杂的方法有效
| 申请号： | 200910195858.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024703A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 神兆旭;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
1.一种掺杂的方法，在半导体衬底上形成栅极结构，并在栅极结构两侧形成侧壁层后，其特征在于，该方法包括：
调整离子束的角度，并使离子束与衬底表面的垂直方向保持一固定夹角，采用预设的离子注入剂量的一半对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂；
将晶圆在水平方向上旋转180度，采用预设的离子注入剂量的一半再次对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂，形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极，或漏极和源极；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入的离子均为N型元素。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入的离子均为P型元素。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
轻掺杂时，
当晶圆在水平方向上旋转180度且旋转一次时，每次离子注入的剂量均为2.5×1014/cm2至1×1015/cm2；
重掺杂时，
当晶圆在水平方向上旋转180度且旋转一次时，每次离子注入的剂量均为1×1015/cm2至2.5×1015/cm2；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固定夹角为1度至5度。
6.一种掺杂的方法，在半导体衬底上形成栅极结构，并在栅极结构两侧形成侧壁层后，其特征在于，该方法包括：
调整离子束的角度，并使离子束与衬底表面的垂直方向保持一固定夹角，采用预设的离子注入剂量的四分之一对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂；
将晶圆在水平方向上旋转90度，采用预设的离子注入剂量的四分之一再次对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂；
按照相同方向将晶圆在水平方向上旋转90度，采用预设的离子注入剂量的四分之一第三次对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂；
按照相同方向将晶圆在水平方向上旋转90度，采用预设的离子注入剂量的四分之一第四次对栅极两侧的衬底进行轻掺杂或重掺杂，形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极，或漏极和源极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述注入的离子均为N型元素。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述注入的离子均为P型元素。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
轻掺杂时，
当晶圆在水平方向上每次旋转90度且旋转三次时，每次离子注入的剂量均为1.125×1014/cm2至5×1014/cm2；
重掺杂时，
当晶圆在水平方向上每次旋转90度且旋转三次时，每次离子注入的剂量均为5×1014/cm2至1.125×1015/cm2。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述固定夹角为1度至5度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
