[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离区的制作方法，该方法包括：

在形成浅沟槽隔离区之前，通过低压化学淀积形成衬垫氮化物，所形成的衬垫氮化物的厚度大于制作浅沟槽隔离区所需的衬垫氮化物的厚度；利用干法刻蚀去除晶圆正面衬垫氮化物大于制作浅沟槽隔离区所需的衬垫氮化物厚度的部分；在刻蚀后的晶圆正面形成浅沟槽隔离区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过低压化学淀积形成衬垫氮化物包括：

增加低压化学淀积的时间，增加晶圆正面和背面的衬垫氧化物上形成的衬垫氮化物的厚度，以使该衬垫氮化物的厚度大于制作浅沟槽隔离区所需的衬垫氮化物厚度；

所述晶圆正面和背面的衬垫氧化物上形成的衬垫氮化物增加16埃，所述低压化学淀积的时间增加1分钟。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通过低压化学淀积形成的衬垫氮化物的厚度由形成浅沟槽隔离区后所需的湿法清洗和湿法刻蚀的次数确定；

当所述形成浅沟槽隔离区后增加一次湿法清洗或湿法刻蚀时，所述在形成浅沟槽隔离区之前通过低压化学淀积形成的衬垫氮化物的厚度增加10埃～15埃。