[发明专利]一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法

权利要求书

1.一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件的方法，包括 以下5个步骤：

a)薄膜器件结构层的制作；

b)制作正面腐蚀窗口；

c)制作反面腐蚀窗口；

d)薄膜释放和对穿腐蚀；

e)功能层的制作；

其中：①薄膜器件结构层的制作是必需放在第一步；

②先制作正面腐蚀窗口再制作反面腐蚀窗口或者先制作反面腐蚀窗口 再制作正面腐蚀窗口；

③薄膜释放和对穿腐蚀的制作是在正面腐蚀窗口或反面腐蚀窗口制作 之后进行的；

④功能层的制作步骤是在薄膜器件结构层步骤之后制作，或在薄膜释 放和对穿腐蚀步骤之后制作。

2.按权利要求1所述的制作方法，其特征在于：

i)薄膜器件结构层材料为Si₃N4、SiO₂、有机聚合物或金属氧化物，结 构层为一种材料的单层膜或多种材料的复合膜；采用热氧化物理气相沉积、 化学气相沉积、溅射或蒸发方式制作的；

ii)正面腐蚀窗口或反面腐蚀窗口的制作是用光刻胶做掩膜，采用干法 刻蚀或湿法刻蚀完成的；

iii)薄膜释放和对穿腐蚀采用的是KOH、NaOH、TMAH或EPW的硅 各向异性腐蚀液。