[发明专利]半导体芯片封装结构及封装方法无效
申请号: | 200910195984.2 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN102024777A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 王津洲 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种半导体芯片封装结构,包括:引线框架和正装芯片,所述引线框架包括管芯垫和位于管芯垫外围的引线,其特征在于,管芯垫上有与引线对应的通孔且位于管芯垫边缘,正装芯片的基底相对面与管芯垫粘合且由键合线穿过通孔将正装芯片上的信号焊盘与引线框架电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述信号焊盘为I/O信号焊盘或接地信号焊盘或参考电压信号焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述信号焊盘与引线框架连接是与引线框架的引线连接或者与引线框架的管芯垫连接或者同时与引线框架的管芯垫和引线连接。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:通孔边缘是封闭的与引线不连通,或者是开放的与引线连通。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述键合线的材料是金、铜、铝或铜铝合金。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:正装芯片通过薄膜绝缘隔离物质粘合于管芯垫上。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片封装结构,其特征在于:所述薄膜绝缘隔离物质是有机化合物,为环氧树脂或聚酰亚胺。
8.一种半导体芯片封装方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供引线框架和正装芯片,所述引线框架包括管芯垫和位于管芯垫外围的引线,其中管芯垫上有通孔且位于管芯垫边缘;
将正装芯片的基底相对面粘合于管芯垫上;
键合线穿过通孔将正装芯片上的信号焊盘与引线框架电连接;将正装芯片、引线框架封装成型。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述信号焊盘为I/O信号焊盘或接地信号焊盘或参考电压信号焊盘。
10.根据权利要求8所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述信号焊盘与引线框架连接是与引线框架的引线连接或者与引线框架的管芯垫连接或者同时与引线框架的管芯垫和引线连接。
11.根据权利要求8所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述通孔边缘可以是封闭的与引线不连通,也可以是开放的与引线连通。
12.根据权利要求8所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述键合线的材料是金、铜、铝或铜铝合金。
13.根据权利要求8所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:正装芯片通过薄膜绝缘隔离物质粘合于管芯垫上。
14.根据权利要求13所述的半导体芯片封装方法,其特征在于:所述薄膜绝缘隔离物质是有机化合物,为环氧树脂或聚酰亚胺。
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