[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910196197.X | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102024720A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金泰圭;辛永基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面形成有顶层金属层；
在所述顶层金属层上形成保护层；
对所述保护层进行退火工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在对所述保护层进行退火工艺之后还包括：在所述保护层上形成钝化层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为700埃至900埃。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为400摄氏度至500摄氏度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述退火工艺的气氛为氮气。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述退火工艺中气体压强为4托至4.5托。
8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述退火工艺的时间为20秒至60秒。
9.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述钝化层为叠层结构，包括PETEOS层和氮氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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