[发明专利]分裂栅间氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 200910196205.0 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102024692A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;沈忆华;宋化龙;李亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分裂 氧化 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，包括：使用快速热制程设备进行原位水汽生成，以在分裂栅间的公共源极区表面形成氧化层。
2.如权利要求1所述的分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成所形成的氧化层为遂穿栅氧化层。
3.如权利要求1所述的分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成的温度为950℃～1200℃。
4.如权利要求1所述的分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，所述原位水汽生成的压力为0.1Torr～20Torr。
5.如权利要求2所述的分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，所述遂穿栅氧化层形成于分裂栅间的公共源极区域表面的遂穿氧化层上。
6.如权利要求5所述的分裂栅间氧化层的制造方法，其特征在于，所述遂穿氧化层通过依次采用快速热氧化、高温热氧化的方法形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910196205.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于在线搜索和广告的关键词表达式语言
- 下一篇：操作系统快速运行命令
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
