[发明专利]一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法

权利要求书

1、一种低介电常数介质与铜互连的结构，其特征在于，该结构包括至少一条金属导线，以及位于所属金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有孔洞，在绝缘体支撑结构之间也有孔洞，以形成气隙结构。

2、根据权利要求1所述的结构，其特征在于所述的金属导线为铜导线，或者由铜和扩散阻挡层组成的复合导线，或者为钨导线，或者由钨和扩散阻挡层组成的复合导线。

3、根据权利要求2所述的结构，其特征在于所述的扩散阻挡层材料为氮化钛，或者为钽，或者为氮化钨。

4、根据权利要求1所述的结构，其特征在于所述的绝缘体支撑结构，是由绝缘体材料组成的柱状或者条状结构，支撑绝缘体位于被支撑的金属导件线之下，以维持所述金属导线的形状。

5、根据权利要求4所述的结构，其特征在于所述的绝缘体材料是氮化硅、氧化硅或者有机绝缘材料。

6、一种低介电常数介质与铜互连结构的集成方法，其特征在于包括下列步骤：

提供一个衬底；

依次在该衬底上形成由第一种材料构成的第一种薄膜；

在第一层薄膜中开孔状的口；

淀积第一层支撑绝缘体，并平坦化；

淀积第二层支撑绝缘体，并开第二个开口；

在第二层支撑绝缘体上形成绝缘薄膜；

形成铜互连的大马士革或者双大马士革图形；

将除支撑绝缘体之外的介质去除，形成孔洞结构。

7、根据权利要求6的方法，其特征是，所述支撑绝缘体为氮化硅、氧化硅或者有机绝缘体。