[发明专利]铝刻蚀方法有效
申请号: | 200910196425.3 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102031524A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 张海洋;符雅丽;孙武 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23F1/02 | 分类号: | C23F1/02;C23F1/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1.一种铝刻蚀方法,该方法包括:
在铝层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光、显影并刻蚀所述光刻胶层,使其形成开口为T型的光刻胶图案;以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜,对铝进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对光刻胶层进行曝光、显影并刻蚀所述光刻胶层,使其形成开口为T型的光刻胶图案包括:
A、根据预先设定的开口为T型的光刻胶图案的线宽和显影后的光刻胶层线宽的增加量,确定显影后的所需的光刻胶层的线宽;
B、根据步骤A所确定的显影后所需的光刻胶层的线宽,确定曝光功率,采用该曝光功率对所述光刻胶层进行曝光;
C、对曝光后的光刻胶进行显影,获取所需线宽的光刻胶图案;
D、采用各向同性干法刻蚀方式刻蚀所述光刻胶图案,得到符合预先设定线宽要求的开口为T型的光刻胶图案。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤D所述采用各向同性干法刻蚀方式刻蚀所述光刻胶图案包括:
采用氯气Cl2和氮气N2等离子体对光刻胶图案进行各向同性干法刻蚀。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述采用Cl2和N2等离子体对光刻胶图案进行各向同性干法刻蚀为:
采用的刻蚀压力为:15-30毫托,功率为:400-1000瓦,Cl2的流量为:50-200毫升/分钟sccm,N2的流量为:10-100sccm,刻蚀时长为:10-100秒。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,预设各向同性干法刻蚀的各刻蚀参数初始值;
所述步骤C与D之间进一步包括:
C1、将各向同性干法刻蚀的各刻蚀参数初始值作为各刻蚀参数的当前值;
C2、采用各刻蚀参数的当前值,对光刻胶图案进行各向同性干法刻蚀;
C3、判断刻蚀后的光刻胶图案的线宽是否等于预先设定的开口为T型的光刻胶图案的线宽,若是,将各刻蚀参数的当前值作为步骤D的各向同性干法刻蚀采用的参数值;否则,调整各刻蚀参数的当前值,返回步骤C2。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,预先将使得显影后所需的光刻胶层的线宽等于所述预先设定的开口为T型的光刻胶图案的线宽时所采用的曝光功率作为初始曝光功率,预设功率降低步长,
步骤B所述根据步骤A所确定的显影后所需的光刻胶层的线宽,确定曝光功率包括:
B1、将初始曝光功率减去功率降低步长,得到当前曝光功率;
B2、采用当前曝光功率对光刻胶层进行曝光;
B3、对曝光后的光刻胶层进行显影;
B4、判断经步骤B3显影后的光刻胶的线宽是否等于步骤A所确定的显影后所需的光刻胶层的线宽,若是,将当前曝光功率作为步骤B所采用的曝光功率;否则,将当前曝光功率减去功率降低步长,返回步骤B2。
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