[发明专利]特征尺寸近似性图案无效
申请号: | 200910196429.1 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102033418A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 武咏琴 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 特征 尺寸 近似 图案 | ||
1.一种特征尺寸近似性图案,所述特征尺寸近似性图案制作在光罩的切割道上,均匀分布在曝光单元范围内,用于控制曝光单元内特征尺寸的均匀性,其特征在于,所述特征尺寸近似性CD TP图案包括经过光学临近修正OPC的图案和没有经过OPC修正的图案。
2.如权利要求1所述的图案,其特征在于,所述特征尺寸近似性图案至少包括3套,每套之间相互平行排列。
3.如权利要求2所述的图案,其特征在于,所述经过OPC修正的图案不小于两套。
4.如权利要求3所述的图案,其特征在于,每套经过OPC修正的图案,基于不同的OPC模型。
5.如权利要求2所述的图案,其特征在于,所述没有经过OPC修正的图案为一套。
6.如权利要求4或5所述的图案,其特征在于,每套图案中特征尺寸从密线dense到单线iso进行布局,包括至少5种渐变的特征尺寸间距。
7.如权利要求6所述的图案,其特征在于,每套图案中包括单线iso的特征尺寸。
8.如权利要求7所述的图案,其特征在于,所述特征尺寸为栅极尺寸或沟槽宽度或连接孔直径。
9.如权利要求8所述的图案,其特征在于,所述特征尺寸近似性图案均匀分布在曝光单元的中心区域和四周区域。
10.如权利要求9所述的图案,其特征在于,所述特征尺寸近似性图案至少包括完全相同的5组。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备