[发明专利]基于OLED的植物生长光源及其制备方法无效
申请号: | 200910196516.7 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN101662001A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 魏斌;张勇;曹进;张建华;汪敏 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;A01G9/20 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 oled 植物 生长 光源 及其 制备 方法 | ||
1、一种基于OLED的植物生长光源,发出适合绿色植物叶绿素吸收的光,包括基板(1),其特征是:在基板(1)的一侧配置阳极(2)、阴极(6)以及它们之间的发光层(4),在阳极(2)和发光层(4)之间配置空穴注入层和/或空穴传输层(3),在阴极(6)和发光层(4)之间配置电子注入层和/或电子传输层(5),发光层(4)的材料能使光谱为400~480nm的蓝紫光区和600~680nm的红橙光区。
2、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源,其特征是:所述发光层(4)由蓝光材料层和红光材料层并列同一层构成。
3、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源,其特征是:所述在发光层(4)为先配置一层蓝光材料层,再配置一层红光材料层。
4、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源,其特征是:所述发光层(4)为一层蓝光材料层;在所述基板(1)与阳极(2)相反的一侧配置一层红色转换层(7),该红色转换层(7)能将部分蓝光转换为红光,其材料为红光材料。
5、根据权利要求2、或3、或4所述的基于OLED的植物生长光源,其特征是:所述蓝光层的材料是以下材料中的任一种:二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘的衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基胺衍生物、双(2-甲基-8-羚基喹啉)(4-苯代苯酚)合铝等羟基喹啉系金属络合物、4,4’-双(2,2-二芳基乙烯基)联苯衍生物等发光波峰在430nm~450nm的蓝光主体材料,以及在主体材料中掺杂有深蓝光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种:8-羟基喹啉硼化锂、联奈衍生物(如4”,4”’-N,N-diphenylamine-4,4’-diphenyl-1,1’-binaphthyl)、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、二乙烯基亚芳基衍生物、三苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、四芳基丁二烯衍生物等。主体材料和客体材料的重量配比为1%~3%。
6、根据权利要求2、或3所述的基于OLED的植物生长光源,其特征是:所述红光材料层的材料是以下材料中的任一种:罗丹明类染料掺杂物、咔啉类及其稀有金属配合物、多环芳香族碳氢化合物、铱金属错合物(Iridium quinoxaline complexes)、三胺衍生物、四胺衍生物、联苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撑二胺衍生物、苯二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1,1-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷衍生物、4,4’-二(二芳基氨基)联苯衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4,4”-二(二芳基氨基)三联苯衍生物、4,4”’-二(二芳基氨基)四联苯衍生物、4,4’-二(二芳基氨基)二苯醚衍生物、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷衍生物等发光波峰在660nm~680nm的红光荧光或红光磷光材料,以及在主体材料中掺杂有红光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种:并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘衍生物、铕等的金属络合物、苯并哔喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-吡喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-噻喃衍生物、罗丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、卟琳衍生物、perifranthene衍生物。主体材料和客体材料的重量配比为1%~10%。
7、一种基于OLED的植物生长光源及其制备方法,其特征是:工艺步骤如下:
a.制备基板(1);
b.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法,在基板(1)上形成阳极材料的薄膜,构成阳极层(2);
c.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法,使空穴注入材料和/或空穴传输材料在阳极层(2)上成膜,形成空穴注入层和/或空穴传输层(3);
d.通过溅射法、或离子电镀法、或真空共蒸镀法、或旋涂法、或电子束共蒸镀法,使发光材料在所述的空穴注入层和/或空穴传输层(3)上成膜形成发光层(4);
e.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法,使电子传输材料和/或电子注入材料在发光层(4)上成膜,形成电子传输层和/或电子注入层(5);
f.通过真空蒸镀法、或溅射法、或离子蒸镀法、或离子电镀法、或电子束蒸镀法,将阴极材料在所述的电子传输层和/或电子注入层(5)上成膜形成阴极层(6)。
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