[发明专利]晶圆的干燥方法无效
| 申请号： | 200910196719.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034680A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 汤舍予;周祖源;李健;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F26B3/06;F26B5/04;B08B3/04 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 干燥 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆的干燥方法，该方法至少包含如下步骤：
提供一晶圆；
以去离子水清洗所述晶圆，同时向该去离子水的液面通入异丙醇；
移除所述去离子水；以及
去除所述晶圆表面的残留液体，使晶圆干燥；
其特征在于，所述以去离子水清洗所述晶圆的步骤在二氧化碳气氛中实施。
2.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述移除去离子水的方式为缓慢排放所述去离子水，同时向所述去离子水的液面通入异丙醇和氮气。
3.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述移除去离子水的方式为将所述晶圆缓慢从去离子水中升起，同时向所述去离子水的液面通入异丙醇和氮气。
4.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述去除晶圆表面残留液体的方法为以高温氮气喷吹所述晶圆。
5.根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述去除晶圆表面残留液体的方法为抽真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
