[发明专利]一种修复晶圆表面划伤的方法无效
| 申请号： | 200910196725.1 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034681A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 曾明;李健;卜维亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修复 表面 划伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一晶圆，所述晶圆表面具有由于划伤而形成的凹陷；
在晶圆表面生长填充层，所述填充层将晶圆表面覆盖，并且填满晶圆表面的凹陷；
研磨晶圆表面至目标厚度。
2.根据权利要求1所述的修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，所述晶圆的表面材料与填充层的材料是相同的。
3.根据权利要求1或2所述的修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺或者等离子增强化学气相沉积工艺在晶圆表面生长填充层。
4.根据权利要求1所述的修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，所述填充层的厚度范围是50nm至300nm。
5.根据权利要求1所述的修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，采用化学机械抛光工艺研磨晶圆表面。
6.根据权利要求1所述的修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在生长填充层之前识别并定位晶圆表面的凹陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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