[发明专利]压摆率控制装置及其控制方法

权利要求书

1.一种压摆率控制装置，其特征在于，包括：预驱动模块，工艺跟踪补偿模块，电流镜模块，以及，后级驱动模块；其中，

所述预驱动模块，用于向所述工艺跟踪补偿模块施加预驱动电压；

所述工艺跟踪补偿模块，用于在预驱动电压的控制下根据所述后级驱动模块的工艺状况而补偿压摆率；

电流镜模块，用于保持对所述后级驱动模块恒定的充电和放电速度；

后级驱动模块，用于产生输出电压并向所述预驱动模块反馈而产生预驱动电压。

2.根据权利要求1所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述工艺跟踪补偿模块包括：跟踪补偿P型晶体管和跟踪补偿N型晶体管，其中，

所述跟踪补偿P型晶体管的栅极连接所述预驱动模块，漏极连接所述后级驱动模块，源极连接V_DD；

所述跟踪补偿N型晶体管的栅极连接所述预驱动模块，源极接地，漏极与所述后级驱动模块相连。

3.根据权利要求2所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述电流镜模块包括：第一电流源和第二电流源，其中，所述第一电流源连接所述跟踪补偿P型晶体管的漏极，所述第二电流源连接所述跟踪补偿N型晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述第一电流源为直流源或交流源，和/或，所述第二电流源为直流源或交流源。

5.根据权利要求2所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述后级驱动模块包括：后级P型晶体管和后级N型晶体管，其中，

所述后级P型晶体管的栅极连接所述跟踪补偿P型晶体管的漏极，源极连接V_DD，漏极连接所述后级驱动模块的输出端；

所述后级N型晶体管的栅极连接所述跟踪补偿N型晶体管的漏极，源极接地，漏极连接所述后级驱动模块的输出端。

6.根据权利要求5所述的压摆率控制装置，其特征在于，后级驱动模块还包括电阻，连接于所述后级驱动模块的输出端与所述后级P型晶体管和后级N型晶体管的漏极之间。

7.根据权利要求5所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述跟踪补偿P型晶体管与所述后级P型晶体管采用同样的工艺制成，和/或，所述跟踪补偿N型晶体管与所述后级N型晶体管采用同样的工艺制成。

8.根据权利要求5所述的压摆率控制装置，其特征在于，所述电流镜模块对所述后级P型晶体管提供上拉电流，对所述后级N型晶体管提供下拉电流。

9.一种压摆率的控制方法，其特征在于，包括：

提供一电流镜模块和工艺跟踪补偿模块；

利用所述电流镜对后级驱动模块分别输入上拉电流和下拉电流；

在后级补偿模块的输出电压的控制下，所述工艺跟踪补偿模块根据后级驱动模块的工艺状况而补偿压摆率。

10.根据权利要求9所述的压摆率控制方法，其特征在于，所述工艺跟踪补偿模块根据后级驱动模块的工艺状况而补偿压摆率，包括：

后级驱动模块为快工艺制成，则所述工艺跟踪补偿模块减小自身的压摆率；

或者，

后级驱动模块为典型工艺制成，则所述工艺跟踪补偿模块增加自身的压摆率。