[发明专利]一种金属硅的提纯方法无效

专利信息
申请号: 200910197020.1 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN102040221A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 张忠卫;张泰生 申请(专利权)人: 上海太阳能科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 郑丹力
地址: 201108 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属硅 提纯 方法
【权利要求书】:

1.一种金属硅的提纯方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:

步骤一:粉碎,

将工业硅粉碎到300目;

步骤二:酸洗、清洗,

用氢氟酸、硝酸、去离子水配成的溶液对硅粉进行浸泡,然后用去离子水清洗;

步骤三:等离子体火焰处理,

将硅粉通过感应等离子体进行火焰处理;

步骤四:冷却,

将硅粉急速冷却;

重复上述步骤二到三,直到硅粉达到太阳能级所要求的纯度。

2.如权利要求1所述的金属硅提纯方法,其特征在于:所述的步骤二,其酸洗过程包括:将金属硅粉末先用沸腾的热盐酸浸泡,然后再用10%氢氟酸在常温下浸泡。

3.如权利要求1或2所述的金属硅提纯方法,其特征在于:在进行所述步骤二的过程中,取50~100克金属硅粉,将硅粉放入装有50~100毫升盐酸的烧杯中,然后将混合液加热到沸腾并且在沸腾状态下保持1~1.2小时;然后将混合液中的硅粉滤出并用去离子水彻底的清洗;

然后将取得的硅粉加入100~200毫升的10%氢氟酸中并在室温下浸泡12~13小时;然后将混合液中的硅粉滤出并用去离子水清洗干净,最后在摄氏100度进行干燥。

4.如权利要求1所述的金属硅提纯方法,其特征在于:在进行所述的步骤三:等离子体火焰处理过程中,金属硅粉末从等离子炬的线圈中间位置被导入,粉末在等离子火焰中的飞行时间在几个毫秒的量级;在粉末被熔化成小液滴并离开等离子火焰中心后,这些液滴急速冷却并且被收集到一个通有冷却水的收集器中。

5.如权利要求4所述的金属硅提纯方法,其特征在于:将所述步骤三收集到的金属硅粉末再进行步骤二、酸洗,包括:用沸腾的热盐酸浸泡两小时,清洗后再用常温的氢氟酸浸泡24小时,最后将硅粉清洗干净后在摄氏105度干燥。

6.如权利要求1或4所述的金属硅提纯方法,其特征在于:在进行所述步骤三的过程中,所述的等离子体的主要参数如下:

  功率  30~40KW  频率  5MHz  加料速率  10g/min  氩气流量  130~150L/min  氢气流量  5L/min

等离子处理的时间为15~30分钟;通过辉光放电质谱仪的检测证明硅的纯度已经3N以上;然后再进行一次同样的酸洗和等离子处理,直至硅的纯度达到6N。

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