[发明专利]应力作用的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910197078.6 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044561A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王祯贞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力 作用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种应力作用的半导体器件，其特征在于：包括半导体器件以及形成于器件表面的复合应变层，所述复合应变层包括至少两层应变层，各应变层的应力类型相同。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述应力类型包括拉伸应力以及压缩应力。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述各应变层的应力大小自半导体器件表面起逐层增大或减小。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括NMOS晶体管或PMOS晶体管。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，当所述半导体器件为NMOS晶体管时，应变层的应力类型为拉伸应力；当所述半导体器件为PMOS晶体管时，应变层的应力类型则为压缩应力。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述各应变层的材质为SiN。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述各应变层的厚度范围为
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述复合应变层总厚度范围
9.一种应力作用的半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体器件；
在半导体器件的表面形成复合应变层；
所述复合应变层包括至少两层应变层，且各应变层的应力类型相同。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述应力类型包括拉伸应力以及压缩应力。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，各应变层的应力大小自半导体器件表面起逐层增大或减小。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括NMOS晶体管或PMOS晶体管。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，当所述半导体器件为NMOS晶体管时，应变层的应力类型为拉伸应力；当所述半导体器件为PMOS晶体管时，应变层的应力类型则为压缩应力。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述应变层的材质为SiN。
15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述应变层采用热驱动化学气相沉积或等离子增强气相沉积形成。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述各应变层的厚度范围为
17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述复合应变层总厚度范围
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