[发明专利]晶圆的清洗方法无效
| 申请号： | 200910197087.5 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102039288A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/10 | 分类号： | B08B3/10;B08B3/08;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：
将带有颗粒物的晶圆放入清洗槽内；
将晶圆与清洗槽内的电极平行放置，并连接至同一电源；
利用外加电场的作用，将晶圆上颗粒物与晶圆分离。
2.根据权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述晶圆置于清洗槽内的方式为垂直方式或水平方式。
3.根据权利要求1或2所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述晶圆在清洗槽内作为阳极，阴极材料为铂或其它耐热金属。
4.根据权利要求3所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽内所加电流为直流电或交流电或脉冲电流，电压为小于等于10V。
5.根据权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽内的溶液是SC1、SC2、SPM或DHF。
6.根据权利要求5所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽内的温度为15℃～100℃。
7.根据权利要求6所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述晶圆放入清洗池内加电流进行反应去除颗粒物的时间为10秒～30分。
8.根据权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述颗粒物包含硅或硅的氧化物。
9.根据权利要求8所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述颗粒物的尺寸小于45nm。
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