[发明专利]金属插塞制作方法有效
| 申请号： | 200910197111.5 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044478A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;刘盛;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属插塞制作方法，其特征在于，包括：提供已形成铜电路互连层的硅片，在铜电路互连层上形成介电层；
依序进行光刻，蚀刻工艺形成设计所需的沟槽；
在介电层和沟槽上形成阻挡层和种子层；
在种子层上电镀形成第一铜金属层；
第一次退火；
在第一铜金属层上电镀形成第二铜金属层；
第二次退火；
平坦化第一铜金属层和第二铜金属层，形成金属插塞。
2.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述第一铜金属层形成的厚度为1000～3000埃，电镀材料为硫酸铜溶液。
3.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述第二铜金属层形成的厚度为3000～4000埃，电镀材料为硫酸铜溶液。
4.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述平坦化是指采用化学机械研磨去除第二铜金属层以及部分第一铜金属层、种子层和阻挡层。
5.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料采用氮化钽、氮化钛、钛或钽中的一种或者混合物。
6.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述种子层的材料为籽晶铜。
7.根据权利要求1所述的金属插塞制作方法，其特征在于，所述第一次退火以及第二次退火的目标温度为100～300摄氏度，退火时间为20～80秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
