[发明专利]并行测量热载流子注入效应的方法有效
申请号: | 200910197116.8 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN101692449A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 高超 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 并行 测量 载流子 注入 效应 方法 | ||
1.一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施 加单元和由多个DUT单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可 向所述DUT单元施加不同的应力;其中,所述DUT单元包括选择端、栅极端、 漏极端、衬底端及接地端;所述栅极端连接至DUT的栅极,所述漏极端连接至 DUT的漏极,所述衬底端连接至DUT的衬底,所述接地端连接至DUT的源极; 并且所述DUT单元还包括传输门,所述传输门用来控制栅源电压是否加载到 DUT的栅极上,由所述选择端来控制;各所述DUT单元列的选择端均串联到同 一个选择线,以同时测量所述DUT单元列中的各DUT的电学参数值。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述应力电压施加单元包括栅 源电压源电路和漏源电压源电路,其中所述栅源电压源电路包括第一电压源和 第二电压源以及串联在它们之间的相同的电阻从而形成所述第一电压源与第二 电压源之间的多个等差电压,并且将所述等差电压施加至所述多个DUT单元的 栅极端;并且其中所述漏源电压源电路包括多个电压源以生成等差电压,并且 将所述等差电压施加至所述多个DUT单元的漏极端。
3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述DUT单元列中的每个DUT 单元还串联有多个DUT单元以形成DUT单元行从而所述DUT单元列与DUT 单元行形成DUT单元阵列。
4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,各所述DUT单元行的漏极端均 串联到所述漏源电压源电路中的一个电压源。
5.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述DUT单元阵列的接地端都 连接在一起,形成接地线。
6.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述DUT单元阵列的衬底端都 连接在一起,形成衬底线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的