[发明专利]并行测量热载流子注入效应的方法有效

专利信息
申请号: 200910197116.8 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN101692449A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 高超 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/66;G01R31/26
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 并行 测量 载流子 注入 效应 方法
【权利要求书】:

1.一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施 加单元和由多个DUT单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可 向所述DUT单元施加不同的应力;其中,所述DUT单元包括选择端、栅极端、 漏极端、衬底端及接地端;所述栅极端连接至DUT的栅极,所述漏极端连接至 DUT的漏极,所述衬底端连接至DUT的衬底,所述接地端连接至DUT的源极; 并且所述DUT单元还包括传输门,所述传输门用来控制栅源电压是否加载到 DUT的栅极上,由所述选择端来控制;各所述DUT单元列的选择端均串联到同 一个选择线,以同时测量所述DUT单元列中的各DUT的电学参数值。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述应力电压施加单元包括栅 源电压源电路和漏源电压源电路,其中所述栅源电压源电路包括第一电压源和 第二电压源以及串联在它们之间的相同的电阻从而形成所述第一电压源与第二 电压源之间的多个等差电压,并且将所述等差电压施加至所述多个DUT单元的 栅极端;并且其中所述漏源电压源电路包括多个电压源以生成等差电压,并且 将所述等差电压施加至所述多个DUT单元的漏极端。

3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述DUT单元列中的每个DUT 单元还串联有多个DUT单元以形成DUT单元行从而所述DUT单元列与DUT 单元行形成DUT单元阵列。

4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,各所述DUT单元行的漏极端均 串联到所述漏源电压源电路中的一个电压源。

5.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述DUT单元阵列的接地端都 连接在一起,形成接地线。

6.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述DUT单元阵列的衬底端都 连接在一起,形成衬底线。

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