[发明专利]一种硅上液晶及其铝反射镜的制造方法无效
| 申请号： | 200910197249.5 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102043294A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陆恩莲;俞昌;杨春晓;张雅礼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 液晶 及其 反射 制造 方法 | ||
1.一种用于硅上液晶的铝反射镜的制造方法，其中，包括如下步骤：
a.在衬底上形成铝金属层；
b.图案化所述铝金属层；
c.在所述铝金属层上形成绝缘层；
d.去除位于所述铝金属层上方的部分所述绝缘层；
e.对铝金属层表面进行化学机械研磨。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铝金属层采用的铝的纯度高于99.5％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝金属层的厚度为3000～5000
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：
-采用物理气相淀积在衬底上形成铝金属层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述物理气相淀积所采用的气压的取值范围为1.5mT～205mT；所述物理气相淀积所采用的交变电场的功率的取值范围为10KW～20KW。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤d还包括如下步骤：
-采用蚀刻去除位于所述铝金属层上方的部分所述绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀包括反应离子刻蚀。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤e所采用的化学机械研磨所采用的磨料含有苯甲酰三氟丙酮、三乙醇胺、以及结构中具有水溶性基团及S、P、Zn元素的高分子化合物；所述化学机械研磨所采用的抛光速率的取值范围为20rpm～100rpm；所述化学机械研磨所采用的抛光垫的压力的取值范围为1psi～10psi。
9.一种硅上液晶，其特征在于，所述硅上液晶包括采用权利要求1～8任一项所述的方法制得的铝反射镜。
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