[发明专利]用于双面显示的有机发光二极管显示器无效
申请号: | 200910197281.3 | 申请日: | 2009-10-16 |
公开(公告)号: | CN102044554A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 霍思涛;凌志华;刘保玲;何为 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 双面 显示 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种用于双面显示的有机发光二极管显示器,包括多个像素单元,其特征在于:每一像素单元包括第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层、第一晶体管和第二晶体管,该第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层依次叠合设置,该第一晶体管用于控制施加在该第一电极层的电压以控制该像素单元一侧的发光量,该第二晶体管用于控制施加在该第三电极层的电压以控制该像素单元另一侧的发光量。
2.如权利要求1所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该有机发光二极管显示器还包括一基板以及设置于该基板表面的薄膜晶体管层,该第一、第二晶体管设置于该薄膜晶体管层。
3.如权利要求2所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该有机发光二极管显示器还包括覆盖该薄膜晶体管层的平坦化层,该第一电极层设置于该平坦化层的表面。
4.如权利要求3所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该第一电极层通过一接触孔与该第一晶体管的漏极连接,该第三电极层通过另一接触孔与该第二晶体管的漏极连接。
5.如权利要求1所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该有机发光二极管显示器还包括一缓冲层,该缓冲层设置于该第三电极层和该第二发光层之间。
6.如权利要求1所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该多个像素单元的第二电极层相互短路连接。
7.如权利要求1所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该第二电极层接地。
8.如权利要求1所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该第一电极层、第一发光层、第二电极层形成第一发光二极管,该第二电极层、第二发光层、第三电极层形成第二发光二极管。
9.如权利要求8所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该第一电极层为该第一发光二极管的阳极,该第三电极层为该第二发光二极管的阳极,该第二发光层为该第一、第二发光二极管的公共阴极。
10.如权利要求8所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该像素单元还包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、电源线、第三晶体管和第四晶体管,该第一扫描线的扫描信号控制该第三晶体管的打开或者关闭状态,处于打开状态的该第三晶体管将该数据线的数据信号施加在该第一晶体管的栅极,该第一晶体管的栅极电压控制该第一晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经该第一发光二极管的电流,该第二扫描线的扫描信号控制该第四晶体管的打开或者关闭状态,处于打开状态的该第四晶体管将该数据线的数据信号施加在该第二晶体管的栅极,该第二晶体管的栅极电压控制该第二晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经该第二发光二极管的电流。
11.如权利要求10所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该第三晶体管的栅极连接该第一扫描线,源极连接该数据线,漏极连接该第一晶体管的栅极,该第一晶体管的漏极连接该电源线,该第一晶体管的源极连接该第一发光二极管的阳极,该第一发光二极管的阴极接地,该第四晶体管的栅极连接该第二扫描线,源极连接该数据线,漏极连接该第二晶体管的栅极,该第二晶体管的漏极连接该电源线,该第二晶体管的源极连接该第二发光二极管的阳极,该第二发光二极管的阴极接地。
12.如权利要求10或11所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该有机发光二极管显示器的驱动频率为120Hz。
13.如权利要求8所述的用于双面显示的有机发光二极管显示器,其特征在于:该像素单元还包括扫描线、第一数据线、第二数据线、电源线、第三晶体管和第四晶体管,该扫描线的扫描信号控制该第三、第四晶体管的打开或者关闭状态,处于打开状态的该第三晶体管将该第二数据线的数据信号施加在该第一晶体管的栅极,该第一晶体管的栅极电压控制该第一晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经该第一发光二极管的电流,处于打开状态的该第四晶体管将该第一数据线的数据信号施加在该第二晶体管的栅极,该第二晶体管的栅极电压控制该第二晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经该第二发光二极管的电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的