[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法无效
申请号: | 200910197374.6 | 申请日: | 2009-10-19 |
公开(公告)号: | CN102044481A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 王心 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 钨插塞 腐蚀 方法 | ||
1.一种防止钨插塞腐蚀的方法,包括:提供形成有钨插塞的半导体衬底,所述的钨插塞与形成在钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞的金属导线互连,采用弧光或紫外光照射所述金属导线,至消除所述金属导线上的正电荷。
2.根据权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法,其特征在于,所述紫外光照射的波长范围为253.7nm,照射时间范围为120s-240s。
3.根据权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法,其特征在于,所述金属导线为铝导线。
4.一种半导体器件的制作方法,包括:
提供形成有钨插塞的半导体衬底;
在所述的半导体衬底上依次形成金属导线层和图案化的光刻胶层;
以所述图案化的光刻胶层为掩膜,刻蚀金属导线层形成金属导线,所述的金属导线位于钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞;
采用弧光或紫外光照射所述金属导线,至消除所述金属导线上的正电荷;
采用灰化工艺去除所述光刻胶层;
清洗所述金属导线以及钨插塞表面。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述紫外光照射的波长范围为253.7nm,照射时间范围为120s-240s。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述金属导线为铝导线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造