[发明专利]CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，包括：

光电二极管，用于将所接收的光信号转化为电信号；

转移电荷单元，用于与所述光电二极管耦接；

浮动扩散区，用于通过所述转移电荷单元与所述光电二极管相连接；

重置晶体管和源极跟随器晶体管，分别连接至所述浮动扩散区。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括：行选择晶体管，耦合于所述源极跟随器晶体管，用于选通对应像素进行输出。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器至少包括四个晶体管，所述转移电荷单元为转移晶体管。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，所述转移晶体管耦合所述源极跟随器晶体管的栅极和所述光电二极管。

5.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，CMOS图像传感器至少包括三个晶体管，其中所述转移电荷单元是电容器。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，所述转移电荷单元包括在所述浮动扩散区上方的电介质层和在所述电介质层上方的传导层。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，所述转移电荷单元还包括耦合到所述传导层的金属，所述金属耦合所述光电二极管和所述源极跟随器晶体管的栅极。

8.根据权利要求6或7所述的CMOS图像传感器，所述传导层是多晶硅。

9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，所述电介质层是氧化物、氮化硅或有机材料。