[发明专利]一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构

权利要求书

1.一种存储器的选通方法，其特征在于：

所述存储器采用二极管作为选通器件，对所述存储器进行读写操作 时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低； 针对不操作的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压， 用以使所述不操作的存储单元流过的电流为零，所述不操作的存储单元 与所述要操作的存储单元处于同一字线；

所述高于字线电压的直流电压通过设置于存储器芯片上的外围电路 产生；

所述高于字线电压的直流电压的外围电路包括：

包含NMOS管的下拉回路；

包含PMOS管的上拉回路；

以及用于保证上拉回路与下拉回路偏置电流绝对相等的偏置电路；

所述上拉回路的一端连接电源，另一端与下拉回路的一端相连接，下拉 回路的另一端连接地；

所述上拉回路与下拉回路的连接点与不操作的存储单元的位线相 接，向其输出直流电压；

当存储器进行读写操作时，所述外围电路通过选通门将所述上拉回路与 下拉回路连接点处的直流电压加载到不操作的存储单元的位线上，所述不 操作的存储单元与要操作的存储单元处于同一字线；

所述不操作的存储单元是与所述要操作的存储单元相邻近的两个存储 单元。

2.根据权利要求1所述的存储器的选通方法，其特征在于：所述的二极管 是多晶态或单晶态二极管、肖特基二极管、栅源或栅漏相连的场效应管、 栅源或栅漏相连的MOSFET、齐纳二极管、可控硅二极管、P-I-N结构二极 管中的一种。

3.一种用于产生权利要求1所述高于字线电压的直流电压的外围电路模块， 其特征在于，包括：与存储器的存储单元结构完全相同的三个参考单元、 与存储器的驱动电路完全相同的驱动电路、权利要求1所述外围电路、模 拟-数字信号转换器、锁存器、以及数字-模拟信号转换器；

所述三个参考单元共享一根字线，分别有三根不同的位线；

位于所述三个参考单元中间的参考单元的位线与所述驱动电路连 接，所述驱动电路用于对参考单元进行读写操作；

另外两个参考单元的位线与所述外围电路连接；

所述外围电路与模拟-数字信号转换器连接，所述模拟-数字信号转 换器将所述外围电路输出的直流电压转换为多位数字信号；

所述模拟-数字信号转换器与锁存器连接，所述锁存器将上述多位数 字信号锁存；

所述锁存器与所述数字-模拟信号转换器连接，所述数字-模拟信号 转换器将锁存器锁存到的多位数字信号转换为模拟信号，并将该模拟信 号输出，该模拟信号即所述的高于字线电压的直流电压。

4.一种权利要求3所述外围电路模块的运作方法，其特征在于：在存储器 上电之后，首先，所述驱动电路对位于中间的参考单元进行读写操作，另 外两个参考单元的位线与外围电路接通；然后，所述外围电路将其输出的 直流电压信号发送给模拟-数字信号转换器，模拟-数字信号转换器将该 直流电压信号转换为数字信号发送给锁存器；经过一段时间后，锁存锁存 器接收到的信号，停止对参考单元的读写操作；当存储器进行读写操作时， 数字-模拟信号转换器将锁存器锁存到的信号转换为模拟信号并将该模拟 信号输出至不操作的存储单元的位线上，该模拟信号即所述的高于字线电 压的直流电压。

5.根据权利要求4所述的运作方法，其特征在于：当存储器进行读写操作 时，所述外围电路模块通过选通门将所述数字-模拟信号转换器输出的模 拟信号即直流电压加载到不操作的存储单元的位线上。

6.根据权利要求5所述的运作方法，其特征在于：所述不操作的存储单元 是与要操作的存储单元相邻近的两个存储单元。

7.根据权利要求4所述的运作方法，其特征在于：利用锁存器，分别锁存 读操作时的信号及写操作时的信号，以供存储器在进行读操作或写操作时 使用。

8.根据权利要求7所述的运作方法，其特征在于：所述写操作时的信号包 括：写“0”时的信号及写“1”时的信号。