[发明专利]用于动态调整化学机械抛光速率的方法有效
申请号: | 200910197574.1 | 申请日: | 2009-10-21 |
公开(公告)号: | CN102044408A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 潘继岗;彭澎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 动态 调整 化学 机械抛光 速率 方法 | ||
1.一种用于动态调整化学机械抛光速率的方法,包括下列步骤:
收集特定历史时间段(T)内的抛光数据,所述数据包括该时间段内多次测量的线下抛光速率,以及该时间段开始时的抛光速率(RR_pre)结束时的抛光速率(RR_post);
根据所述多次测量的线下抛光速率计算算术平均值,得到平均参考抛光速率(RR_Blanket);
根据所述时间段开始时的抛光速率和结束时的抛光速率,按下列公式得出该时间段的平均抛光率(RR_ave):
RR_ave=(RR_pre-RR_post)/T
对于待抛光的第M个产品的第N层,其中M和N为大于1的正整数,利用平均抛光率和平均参考抛光速率根据下列公式进行计算,得出一系数(Coefficient_N):
Coefficient_N=RR_ave/RR_Blanket
计算所述第N层的厚度补偿量(Offset_N):
Offset_N=化学机械抛光之后的理想厚度-化学机械抛光之后的实际厚度
建立归一化的反馈参数,将第N层的反馈调整量Feedback_N定义为:
Feedback_N=Offset_N/Coefficient_N
对于第N层定义初始的抛光厚度Initial_N:
Initial_N=(化学机械抛光之前实际厚度-化学机械抛光之后的理想厚度)/Coefficient_N
计算反馈的抛光厚度调整量(Feedback(1)_N):
Feedback(1)_N=(化学机械抛光之前实际厚度-化学机械抛光之后的理想厚度)/Coefficient_N+Feedback_N。
2.如权利要求所述的方法,其特征在于,对所述反馈抛光厚度调整量进行如下的优化处理:
定义第一标准反馈调整量(Feedback_1)和第二标准反馈调整量(Feedback_2);
对于第m次抛光的反馈调整量(Feedback_m)设定为,其中m为大于2的正整数:
Feedback_m=Feedback_(m-1)*M+Feedback_(m-2)*(1-M)
其中M为一权重因子,0≤M≤1。
3.如权利要求所述的方法,其特征在于,M大于0.5。
4.如权利要求所述的方法,其特征在于,M为0.8。
5.如权利要求所述的方法,其特征在于,所述时间段为3个月。
6.如权利要求所述的方法,其特征在于,对所述系数(Coefficient_N)进行修正,即修正后的系数等于修正前的系数乘以(1+4%)。
7.如权利要求所述的方法,其特征在于,当更换化学机械抛光设备的至少一个易磨损部件时,将整个反馈系统复位。
8.如权利要求所述的方法,其特征在于,所述化学机械抛光设备的至少一个易磨损部件是抛光垫或金刚石盘片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造