[发明专利]提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法无效
| 申请号： | 200910197788.9 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101696011A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 万传云 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 有机硅 聚合物 裂解 法制 碳化硅 纳米 材料 纯度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法，以模板法获得的聚硅烷或聚硅氧烷纳米管为前驱体，然后按照下列步骤操作：
A、将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起，将得到的混合物置于管式炉中，通入氩气，以2℃/分的速率升温到1300-1600℃，恒温2小时，冷却，得到碳化硅和单质碳的混合物；
B、将上述碳化硅和单质碳的混合物在氧气或空气气氛下，以2℃/分的速率升温到850℃，恒温2小时，冷却，得到高纯度碳化硅纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海应用技术学院，未经上海应用技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910197788.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
