[发明专利]一种横向三极管的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910197808.2 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101777578A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 易亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 三极管 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向三极管，包括：衬底，在所述衬底中设有阱区，在所述阱区中设有基区、集电区和发射区，构成一个横向三极管；其特征在于，在所述阱区中，在所述发射区下层，紧靠发射区的位置设有高浓度掺杂区。
2.如权利要求1所述的横向三极管，其特征在于，横向三极管为横向PNP三极管。
3.如权利要求1所述的横向三极管，其特征在于，横向三极管为横向NPN三极管。
4.如权利要求2所述的横向三极管结构，其特征在于，横向PNP三极管中所述掺杂区为高浓度N型掺杂区。
5.如权利要求3所述的横向三极管结构，其特征在于，横向NPN三极管中所述掺杂区为高浓度P型掺杂区。
6.如权利要求1所述的横向三极管结构，其特征在于，还包括：在所述基区和所述集电区之间设有浅沟槽隔离层，在所述基区和所述衬底之间还设有浅沟槽隔离层。
7.如权利要求1所述的横向三极管结构，其特征在于，还包括：在所述发射区和所述集电区之间的所述衬底表面上设有多晶硅层。
8.如权利要求1所述的横向三极管的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底中形成阱区；
在所述阱区中，在所述发射区下层，紧靠发射区的位置形成高浓度掺杂区；
在所述阱区中形成基区、集电区和发射区。
9.如权利要求9所述的横向三极管的制造方法，其特征在于，还包括：在所述基区和所述集电区之间设有浅沟槽隔离层，位于所述基区和所述衬底之间还设有浅沟槽隔离层。
10.如权利要求9所述的横向三极管的制造方法，其特征在于，还包括：在所述发射区和所述集电区之间的所述衬底表面上还可形成多晶硅层。
11.如权利要求9至11所述的横向三极管的制造方法，其特征在于，还包括：在形成阱区之后和注入掺杂区之前，在所述衬底上形成所述浅沟槽隔离层和所述多晶硅层。
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