[发明专利]遂穿氧化层的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种遂穿氧化层的制造方法。

背景技术

存储器大致可分为随机存取存储器(Random Access Memory；RAM)及只读存储器(Read Only Memory；ROM)两类。其中，随机存取存储器需要持续供电才能将所储存的数据保留，因此称为挥发性(Volatile)存储器，而只读存储器所储存的数据并不会因电源供应的中断而流失，故称为非挥发性(Nonvolatile)存储器。此外，只读存储器又依数据存入方式的不同，分为掩膜式只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、以及快闪式存储器(Flash Memory)等。由于，非挥发性存储器在电源关闭后，仍可将其记忆的数据留存，因此广泛地应用在计算机与电子工业上。尤其，随着近年来便携式电子产品的日益普及，要求电子产品的集成度越来越高，对于存取功能如同磁盘驱动器的电可擦可编程只读存储器及快闪式存储器等技术的需求也日益提升。

在目前的非挥发性(Nonvolatile)存储器工艺中，常使用高温热氧化(HTO)的方式淀积遂穿氧化层。由于每个产品的图形密度不同，如果不同图形密度的产品都用同一个操作流程菜单(recipe)去淀积遂穿氧化层，由于负载效应(loading effect)，势必会引起这些产品的遂穿氧化层厚度不同，使得不同图形密度(pattern density)的产品性能差异很大，甚至会引起部分产品不能正常工作，为了解决这一技术问题，在现有技术中，根据不同图形密度的产品分别建立沉积遂穿氧化层的工艺步骤，以调节遂穿氧化层的厚度，这就会导致生产工艺步骤的繁琐，使产量下降，成本上升。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中，针对不同的图形密度的存储器建立不同的沉积遂穿氧化层的工艺步骤，造成的工艺步骤复杂、繁琐，生产效率低等技术问题。

有鉴于此，本发明提供一种遂穿氧化层的制造方法，包括以下步骤：

提供一半导体基底；

在所述半导体基底上沉积一层遂穿氧化层；

对所述遂穿氧化层进行湿法清洗，以调节所述遂穿氧化层的厚度。

进一步的，通过高温氧化物反应方式在所述半导体基底上沉积一层遂穿氧化层。

进一步的，所述遂穿氧化层为二氧化硅层。

进一步的，所述湿法清洗采用1号清洗液(氨水、双氧水和水的混合物)在常温下对所述遂穿氧化层进行清洗。

综上所述，本发明提供的遂穿氧化层的制造方法，是在遂穿氧化层的制造过程中通过加入湿法清洗步骤来调节遂穿氧化层的厚度，这就省去了根据不同的产品分别建立不同的遂穿氧化层沉积厚度(高温氧化物反应方式)的操作流程菜单的步骤，不仅简化了产生的工艺步骤，使工厂在生产过程中能更容易的安排各类产品的运行顺序提高了生产效率，而且保证了遂穿氧化层的质量，确保了存储元件的稳定性。

附图说明

图1所示为本发明一实施例所提供的遂穿氧化层的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，给出较佳实施例并结合附图，对本发明作进一步说明。

请参见图1，其所示为本发明一实施例提供的遂穿氧化层的制造方法的流程图。该制造方法包括以下步骤：

S110：提供一基底。

在本实施例中，该基底为半导体基底。

S120：在所述基底上形成一层遂穿氧化层。

在本实施例中，通过高温氧化物反应方式(HTO)在基底上淀积一层二氧化硅当作遂穿氧化层。

S130：对遂穿氧化层进行湿法清洗，以调节遂穿氧化层的厚度。

在本实施例中，所述湿法清洗采用1号标准清洗液(SC1)，使用氨水、双氧水和水的混合物，对所述遂穿氧化层在常温下进行清洗。由于常温下1号标准清洗液对二氧化硅的腐蚀速率很低，因此可以精确的控制二氧化硅的厚度。

综上所述，本发明实施例提供的遂穿氧化层的制造方法，是在遂穿氧化层的制造过程中通过加入的湿洗步骤调节遂穿氧化层的厚度，这就省去了根据不同的产品分别建立不同的遂穿氧化层沉积厚度的操作流程菜单的步骤，不仅简化了产生的工艺步骤，使工厂在生产过程中能更容易的安排各类产品的运行顺序提高了生产效率，而且保证了遂穿氧化层的质量，确保了存储元件的稳定性。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。