[发明专利]校正生长腔温度的方法

权利要求书

1.一种校正生长腔温度的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤1，绘制多晶硅折射率-温度曲线；

步骤2，以步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线为依据，校正生长腔的温度。

2.如权利要求1所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括以下步骤：

步骤1.1，选定一个起始温度，在该温度下，在生长腔内淀积多晶硅，并用光学方法测量该温度下淀积的多晶硅的折射率，记录第一组温度和对应的折射率数据；

步骤1.2，按一定规律调节温度，在不同温度下淀积多晶硅，同时用光学方法测量相应温度下多晶硅的折射率，记录多组温度和对应的折射率数据；

步骤1.3，根据记录的多组折射率和温度数值，绘制多晶硅折射率-温度相关性曲线。

3.如权利要求2所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤1.1中采用标准热敏温度计测量生长腔温度。

4.如权利要求2所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤1.1和步骤1.2中，淀积的多晶硅层的厚度为100～500埃。

5.如权利要求2所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤1.2中按等差递增规律来调节温度或按等差递减规律来调节温度。

6.如权利要求2所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤1.2中记录的温度和对应的折射率数据的组数为10组以上。

7.如权利要求2所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，步骤1.1和步骤1.2中，起始温度的选择以及温度调节的范围在400℃～800℃。

8.如权利要求1所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤2具体包括以下步骤：

步骤2.1，在洁净的样片硅片上淀积一层多晶硅，用光学方法测量该多晶硅层的折射率；

步骤2.2，对照步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线，找出该多晶硅层的折射率对应的淀积温度，该淀积温度就是此时生长腔的实际温度；

步骤2.3，判断生长腔的实际温度是否为所需要的标准温度，如果是，执行步骤2.5，如果不是，则执行步骤2.4；

步骤2.4，调节生长腔的温度，重复以上步骤，直至生长腔的实际温度与所需要的标准温度一致；

步骤2.5，取出样片硅片。

9.如权利要求8所述的校正生长腔温度的方法，其特征在于，所述步骤2.1中淀积的多晶硅层的厚度为100～500埃。