[发明专利]刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法有效
| 申请号： | 200910197820.3 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101697340A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 夏军;殷冠华;许昕睿;林俊毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 防止 挡片跳片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀工艺中防止挡片跳片的方法，所述挡片包括晶圆衬底及 其上的暖机膜层，其特征在于，该方法包括在所述挡片的晶圆衬底底部生 长一层防止跳片的绝缘膜层。
2.如权利要求1所述的刻蚀工艺中防止挡片跳片的方法，其特征在 于，所述绝缘膜层的厚度为500nm～1000nm。
3.如权利要求1或2所述的刻蚀工艺中防止挡片跳片的方法，其特 征在于，所述绝缘膜层的电阻率范围为10e6Ωcm～10e7Ωcm。
4.如权利要求3所述的刻蚀工艺中防止挡片跳片的方法，其特征在 于，所述的绝缘膜层为氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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