[发明专利]芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，特别是有关于一种在芯片吸取步骤及芯片粘接步骤之间对芯片粘接用胶膜进行非接触式加热的加热装置及其方法。

【背景技术】

在半导体封装构造制造过程中，打线接合(wire bonding)技术已广泛地应用于半导体芯片与封装基板(substrate)或导线架(leadframe)之间的电性连接上。请参照图1所示，其概要揭示现有半导体芯片打线工艺所包含的主要加工步骤，其大致包含：一晶圆测试(wafer test)步骤S01，其中利用一测试机台的数个探针测试一半导体晶圆表面的电路区块是否良好，并取得良品区块及不良品区块的资讯；一晶圆切割(wafer saw)步骤S02，其中在测试后将半导体晶圆黏固于一晶圆固定用胶膜(blue tape)及一芯片粘接用胶膜(die attach film)之上，并接着切割半导体晶圆及芯片粘接用胶膜，使其分离成为数个半导体芯片及芯片粘接用胶膜；一芯片吸取(pickup)步骤S03，其中利用一真空取放头的真空吸力逐一将各半导体芯片及相应尺寸的芯片粘接用胶膜由晶圆固定用胶膜上吸起，并将其移动至一封装基板或导线架的上方；一芯片粘接(die attach)步骤S04，其中封装基板或导线架放置在一载体固定座上并受到载体固定座的加热，真空取放头将半导体芯片及芯片粘接用胶膜向下抵压于封装基板或导线架的芯片承载区上，使芯片粘接用胶膜受到载体固定座的间接加热而软化，在真空取放头解除真空并离开后，半导体芯片即利用芯片粘接用胶膜固定于封装基板或导线架的芯片承载区，在某些产品设计中，上述芯片粘接用胶膜亦可能是利用液态的底部填充胶(underfill)来加以取代；一打线接合(wire bond)步骤S05，其中利用导线电性连接半导体芯片与封装基板或导线架；一封胶(molding)步骤S06，其中利用封胶材料包覆保护半导体芯片与导线；一剪切/成型(trim/form)步骤S07，其中冲压切割封装基板或导线架，以分离每一封胶单元体；以及，一标示(mark)步骤S08，利用墨印或雷射在封胶单元体上印上产品相关文字或图形。

请参照图2所示，其进一步详细揭示现有芯片吸取步骤S03及芯片粘接步骤S04的相关装置及流程的示意图，其中一半导体晶圆10黏固于一晶圆固定用胶膜11及一芯片粘接用胶膜12之上。所述半导体晶圆10及芯片粘接用胶膜12被切割分离成为数个半导体芯片101及芯片粘接用胶膜121。一真空取放头13的真空吸力逐一将各半导体芯片101及芯片粘接用胶膜121由所述晶圆固定用胶膜11上吸起，并将其移动至一封装基板14(或导线架)的上方，其中所述封装基板14(或导线架)放置在一载体固定座15上并受到所述载体固定座15的加热，所述真空取放头13将所述半导体芯片101及芯片粘接用胶膜121向下抵压于所述封装基板14(或导线架)的芯片承载区上，使所述芯片粘接用胶膜121受到所述载体固定座15的间接加热约2至7秒而软化，在所述真空取放头13解除真空并离开后，所述半导体芯片101即可利用所述芯片粘接用胶膜121固定于所述封装基板13(或导线架)的芯片承载区。此外，亦有另一种双重加热做法，其是在所述真空取放头13内部另设置一加热装置(未绘示)，因而先利用所述真空取放头13对所述芯片粘接用胶膜121进行直接加热，接着再利用所述载体固定座15对所述芯片粘接用胶膜121进行间接加热，以缩短加热时间至1.5至5秒。