[发明专利]金属层处理方法有效
申请号: | 200910198112.1 | 申请日: | 2009-11-02 |
公开(公告)号: | CN102054747A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 聂佳相 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;C22F1/08;C25D3/38;B24B29/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 处理 方法 | ||
1.一种金属层处理方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底包括衬底和形成在衬底表面的介质层;所述介质层内形成有暴露衬底的接触孔;所述介质层表面和所述接触孔内形成有金属层;
对所述金属层退火;
控制退火和化学机械抛光之间的时间间隔,对所述退火后的金属层进行化学机械抛光,直至暴露出介质层。
2.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,退火和化学机械抛光之间的时间间隔小于5小时。
3.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,对所述金属层退火的工艺参数为:退火温度为100度至400度,保护气体为氮气和氢气的混合气体,其中氮气与氢气的体积比为100∶3.381,氮气和氢气的混合气体的流量为50SCCM至200SCCM,退火时间为30秒至2小时,退火冷却温度为40度,且退火温度到退火冷却温度的冷却时间为10秒至200秒。
4.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,金属层退火可以在独立的退火设备或者是与化学机械抛光的设备集成的退火设备中完成。
5.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,所述衬底为多层基片、分级基片、绝缘体上硅基片、外延硅基片、部分处理的基片、图案化或未被图案化的基片。
6.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,所述介质层为金属前介质层或层间介质层。
7.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,所述介质层的材料为SiO2或者掺杂的SiO2。
8.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,所述金属层材料为铜。
9.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,所述金属层的形成方法为电镀工艺。
10.如权利要求6所述的金属层处理方法,其特征在于,所述电镀工艺的具体参数为:电镀液选用CuSO4溶液,Cu2+浓度为30g/L至50g/L,并且在此溶液中加入浓度为40mg/L至60mg/L的含氯离子的无机添加剂,电镀的电流为4.5安培至45安培。
11.如权利要求1所述的金属层处理方法,其特征在于,对所述退火后的金属层进行化学机械抛光的具体参数为:选用氧化硅作为抛光颗粒,抛光液的PH值为10至11.5,抛光液的流量为200毫升每分钟至400毫升每分钟,抛光工艺中研磨垫的转速为83转每分钟至103转每分钟,研磨头的转速为77转每分钟至97转每分钟,抛光工艺的压力为5500帕至6500帕。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造