[发明专利]双镶嵌结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910198349.X | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054751A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供带有金属布线层的半导体衬底；
在金属布线层上依次形成阻挡层、层间绝缘层；
采用能够与层间绝缘层材料反应生成氮化物的反应物处理所述层间绝缘层，在层间绝缘层表面形成保护层；
依次刻蚀保护层、层间绝缘层、阻挡层直至暴露出金属布线层，形成接触孔；
形成填充所述接触孔并位于保护层表面的底部抗反射层；
在所述底部抗反射层表面形成隔离层；
在所述隔离层表面形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀隔离层、底部抗反射层、保护层以及部分层间绝缘层形成沟槽；
去除所述光刻胶图形、隔离层和底部抗反射层。
2.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述能够与层间绝缘层材料反应生成氮化物的反应物为NH3。
3.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述保护层材料为氮化硅层。
4.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述保护层厚度为200～300埃。
5.如权利要求2所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺为：NH3的流量为500～1200cm3/min，处理时间为5～40秒。
6.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层材料为低温氧化硅材料。
7.一种双镶嵌结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属布线层；依次位于所述金属布线层上的阻挡层、层间绝缘层、保护层；贯穿保护层、层间绝缘层、阻挡层并暴露出金属布线层的接触孔；贯穿保护层和部分层间绝缘层并与接触孔位置对应的沟槽。
8.如权利要求7所述的双镶嵌结构，其特征在于，所述保护层材料为氮化硅层。
9.如权利要求7所述的双镶嵌结构，其特征在于，所述保护层厚度为200～300埃。
10.如权利要求7所述的双镶嵌结构，其特征在于，所述隔离层材料为低温氧化硅材料。
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