[发明专利]测量接触孔的方法无效
申请号: | 200910198455.8 | 申请日: | 2009-11-03 |
公开(公告)号: | CN102054720A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 王新鹏;张海洋;黄敬勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/02;G01B11/26;G01B11/00;G01N21/25 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 接触 方法 | ||
1.一种测量接触孔的方法,所述接触孔的测量参数包括:接触孔的上口特征尺寸、接触孔的底部特征尺寸、接触孔高度、接触孔的侧壁角以及接触孔是否刻蚀完全;
该方法为刻蚀形成接触孔之后,采用光学测量方法在线测量接触孔,同时得到所述各个参数。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接触孔是否刻蚀完全,通过测量接触孔底部的金属硅化物层刻蚀尺寸得到,当接触孔刻蚀完全时,所述金属硅化物层的刻蚀尺寸达到预定尺寸;当接触孔刻蚀不完全时,继续刻蚀接触孔以达到对金属硅化物层的预定刻蚀尺寸。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述采用光学测量方法在线测量接触孔,同时得到所述各个参数的方法为:
利用光学测量仪,将光学测量仪的光源照射到接触孔上,获得所述接触孔的光谱,所述光源照射的接触孔为按照预定规则排列的接触孔矩阵,接触孔彼此相同,但接触孔每一参数允许在容许范围内变化;
将所述光谱输入数据库,经过拟合从该数据库得到与接触孔各参数对应的拟合光谱曲线图;
针对变化范围内的每一个接触孔,输入与该接触孔相关的各个参数值,建立与该接触孔对应的数据模型,将该建模得到的数据模型输入光谱分析系统,得到该数据模型接触孔的各个参数对应的各个理论光谱曲线图;
将每个参数对应的拟合光谱曲线与上述得到的该参数对应的所有理论光谱曲线进行比对,将其中符合拟合光谱曲线的理论光谱曲线,其所对应的建模时输入的该参数值作为光学测量接触孔该参数的确定值,从而同时得到接触孔的其他各个参数值。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述采用光学测量方法在线测量接触孔,同时得到所述各个参数的方法为:
针对变化范围内的每一个接触孔,输入与该接触孔相关的各个参数值,建立与该接触孔对应的数据模型,将该建模得到的数据模型输入光谱分析系统,得到该数据模型接触孔的各个参数对应的各个理论光谱曲线图;
利用光学测量仪,将光学测量仪的光源照射到接触孔上,获得所述接触孔的光谱,所述光源照射的接触孔为按照预定规则排列的接触孔矩阵,接触孔彼此相同,但接触孔每一参数允许在容许范围内变化;
将所述光谱输入数据库,经过拟合从该数据库得到与接触孔各参数对应的拟合光谱曲线图;
将每个参数对应的拟合光谱曲线与上述得到的该参数对应的所有理论光谱曲线进行比对,将其中符合拟合光谱曲线的理论光谱曲线,其所对应的建模时输入的该参数值作为光学测量接触孔该参数的确定值,从而同时得到接触孔的其他各个参数值。
5.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述测量在测量反应腔内进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造