[发明专利]提高半导体器件阈值电压的方法

权利要求书

1.一种提高半导体器件阈值电压的方法，该方法包括：

在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽后，在半导体器件的衬底上形成栅极；

对栅极表面及半导体器件衬底表面再氧化后，对栅极和半导体器件衬底进行轻掺杂，在半导体器件衬底形成浅结；

在半导体器件的衬底进行阱制造；

形成所述栅极的氮氧化物侧墙，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；

采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽之前，该方法还包括：

在半导体器件衬底上进行阈值电压离子注入。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为N型互补金属氧化物半导体NMOS时，所述离子注入的为硼，能量为25～6千电子伏特，注入的剂量为6E12～1.5E13离子/每平方厘米。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在进行阈值电压离子注入之后，在所述在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽之前，该方法还包括：

在半导体器件衬底101上进行沟道离子注入。

5.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为N型互补金属氧化物半导体NMOS时，所述离子注入的为硼，能量为150～80千电子伏特，注入的剂量为3E12～1.2E13离子/每平方厘米。

6.如权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为N型互补金属氧化物半导体NMOS时，所述在半导体器件的衬底进行阱制造的过程为：

进行硼掺杂物的离子注入过程，能量为250～200千电子伏特，注入的剂量为3E13～5E13离子/每平方厘米。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在对栅极和半导体衬底进行轻掺杂之前，该方法还包括：

在栅极上形成偏移侧墙。