[发明专利]光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，沉积光刻胶PR之后，其特征在于，该方法包括：

进行曝光和显影，并生成光刻图案，其中，光刻图案中PR的实际关键尺寸CD大于理想CD；

获取光刻图案中PR的实际CD与理想CD的偏移量；

采用氩离子、锗离子、硅离子、砷离子、锑离子或铟离子分别对偏移量大于等于预设精度的PR的一侧进行离子注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法应用于双光刻工艺中，所述PR为第一PR，所述光刻图案为第一光刻图案，所述离子注入为第一离子注入，该方法进一步包括：

沉积第一PR之前，在待蚀刻薄膜上沉积一层硬掩膜HM，所述第一PR沉积在HM之上；

采用氩离子、锗离子、硅离子、砷离子、锑离子或铟离子分别对偏移量大于等于预设精度的第一PR的一侧进行第一离子注入之后，以第一光刻图案作为掩膜，对HM进行蚀刻；

将待蚀刻薄膜表面的第一光刻图案剥离；

在蚀刻后的HM的表面沉积第二PR；

进行曝光和显影，并形成第二光刻图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一光刻图案中PR的实际CD为理想CD的105％至125％。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当进行第一离子注入时，离子束与垂直方向的夹角为0度至25度，离子注入的能量为10000电子伏特eV至100000电子伏特eV，离子注入的剂量为1×10¹⁴个原子/cm²至8×10¹⁵个原子/cm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法应用于双光刻工艺中，所述PR为第二PR，所述光刻图案为第二光刻图案，所述离子注入为第二离子注入，该方法进一步包括：

沉积第二PR之前，在待蚀刻薄膜上沉积一层HM，在HM之上沉积第一PR；

进行曝光和显影，并形成第一光刻图案；

以第一光刻图案作为掩膜，对HM进行蚀刻；

将待蚀刻薄膜表面的第一光刻图案剥离；

所述第二PR沉积在蚀刻后的HM表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，第二光刻图案中PR的实际CD为理想CD的105％至125％。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当进行第二离子注入时，离子束与垂直方向的夹角为0度至25度，离子注入的能量为10000电子伏特eV至100000电子伏特eV，离子注入的剂量为1×10¹⁴个原子/cm²至8×10¹⁵个原子/cm²。