[发明专利]监测曝光机聚焦的方法

权利要求书

1.一种监测曝光机聚焦的方法，包括：

对半导体晶圆进行预处理、打底胶，并形成光刻胶膜；

利用固定的曝光能量和渐变的曝光机焦平面偏移值对所述光刻胶膜进行曝光，然后进行后烘并显影，形成图案；

测量所形成的图案的关键尺寸，得到关键尺寸与所述曝光机焦平面偏移值之间的对应关系；

计算得到所述曝光机的第一最佳焦平面；

重复以上步骤，得到所述曝光机的第二最佳焦平面；

如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，则确定所述曝光机的聚焦发生偏移。

2.如权利要求1所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，所述图案是圆形的图案。

3.如权利要求2所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，所形成的图案的关键尺寸是所述曝光机的一个曝光场中多个圆形图案的平均关键尺寸。

4.如权利要求2所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，所形成的图案的关键尺寸是所述曝光机的多个曝光场中圆形图案的平均关键尺寸

5.如权利要求1至4中任一项所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，将所述曝光机的数值孔径调到最大。

6.如权利要求1所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

根据第二最佳焦平面与第一最佳焦平面之差调节所述曝光机的聚焦。

7.如权利要求1所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻胶膜之前进一步包括：在所述半导体晶圆上形成底部抗反射涂层，并烘焙。

8.如权利要求1所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻胶膜之后进一步包括：在所述半导体晶圆上形成顶部抗反射涂层，并烘焙。

9.如权利要求1所述的监测曝光机聚焦的方法，其特征在于，所述曝光机是浸没式曝光机；

在形成光刻胶膜之后进一步包括，在所述光刻膜之上形成顶部涂层。