[发明专利]改善半导体器件结深特性的方法

权利要求书

1.一种改善半导体器件结深特性的方法，该方法包括：

在半导体器件的衬底上进行半导体掺杂物的离子注入后，在半导体器件的衬底上形成阱；

在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽后，在半导体器件的衬底上形成栅极；

对栅极表面及半导体器件衬底表面再氧化后，对栅极和半导体器件衬底进行轻掺杂；

形成所述栅极的氮氧化物侧墙，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极后，进行快速热退火；

采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的半导体掺杂物为硅、锗或砷化镓。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的半导体掺杂物为硅时，所述的离子注入剂量为1e15离子/每平方厘米～5e15离子/每平方厘米，能量为10千电子伏特～30千电子伏特。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，在半导体器件的衬底上形成阱之前，该方法还包括：

在半导体器件衬底上进行阈值电压离子注入；

在半导体器件衬底上进行沟道离子注入。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为P型互补金属氧化物半导体PMOS或N型互补金属氧化物半导体NMOS。