[发明专利]检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法及装置

权利要求书

1.一种检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，包括：

在半导体晶圆的表面上旋涂涂层；

在对所述半导体晶圆显影之前检测所述涂层的厚度变化；

将所检测的厚度变化与预定的阈值进行比较；

如果所述厚度变化小于预定的阈值，则对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理；否则拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。

2.如权利要求1所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆显影之前检测所述涂层的厚度变化为：在对所述半导体晶圆曝光之后检测所述涂层的厚度变化；所述下一工艺步骤为显影。

3.如权利要求1所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆显影之前检测所述涂层的厚度变化为：在对所述半导体晶圆曝光之前检测所述涂层的厚度变化；所述下一工艺步骤为曝光。

4.如权利要求3所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆曝光之前检测所述半导体晶圆表面涂层的厚度变化为：在对所述半导体晶圆进行晶圆边缘曝光WEE的同时检测所述涂层的厚度变化。

5.如权利要求4所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，在所述半导体晶圆上所述晶圆边缘曝光的路径内侧0.2至50毫米的位置检测所述涂层的厚度变化。

6.如权利要求1所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，所述涂层是光刻胶涂层PR、顶部抗反射涂层TARC、底部抗反射涂层BARC或顶面涂层TC。

7.如权利要求6所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，所述涂层是底部抗反射涂层，

在对所述半导体晶圆显影之前检测所述涂层的厚度变化为：在旋涂光刻胶涂层之前检测所述底部抗反射涂层的厚度变化。

8.如权利要求1所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，利用光学传感器、原子力显微镜AFM或者气体传感器检测所述涂层的厚度变化。

9.如权利要求8所述的检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，其特征在于，利用光学传感器检测所述涂层的厚度变化包括：

向涂层表面辐射光；

检测从所述涂层表面反射的光强；

根据所述涂层表面各个位置所反射的光强变化计算所述涂层的厚度变化。

10.一种检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的装置，包括检测模块、控制模块和报警模块，其中

检测模块，用于检测所述半导体晶圆表面涂层的厚度变化；

控制模块，用于对所述检测模块和晶圆边缘曝光装置的操作进行控制；将所述检测模块所检测的厚度变化与预定的阈值进行比较，在所检测的厚度变化超出所述预定的阈值的情况下，触发所述报警模块发出警报；

报警模块，用于在控制模块的触发下发出不对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤进行处理的警报。